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CDRH125N-2R2M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CDRH125N-2R2M product

CDRH125N-2R2M

Chokes

LeistungsinduktivitätSMD2,2µH

Der CDRH125N-2R2M ist eine 2,2µH SMD-Leistungsinduktivität, die für Hochstromanwendungen mit einem Sättigungsstrom von bis zu 15A geeignet ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Hochstromfilterung

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die flache Komponenten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei Volllast

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Sättigungsstrom
15,0 A
Max. DCR
10,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

c20524bb08c594d674cce05754b0341f_2012181707_MINGSTAR-CDRH125N-2R2M_C962354.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CDRH125N-2R2M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare Leistungsinduktivität mit einer Nenninduktivität von 2,2µH und einer Toleranz von ±20%.