ProjektePreiseInsights

CI02S120E3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI02S120E3 product

CI02S120E3

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-Diode1200VSchottky

Die CI02S120E3 ist eine 1200V SiC-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Leistungswandlungen optimiert ist.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • DC/DC-Wandler
  • Freilaufdioden in Wechselrichtern

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Spitzenstromgrenzwerte

Wichtige Specs

VRRM
1200 V
IF (25°C)
10 A
VF (2A, 25°C)
1.4 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

07af2398a22949a927a2b25074e81608_2207221730_Tokmas-CI02S120E3_C967720.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI02S120E3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Barriere-Diode, die für hochfrequente und hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.