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CI05S120E3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI05S120E3 product

CI05S120E3

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VLeistungsdiode

Die CI05S120E3 ist eine 1200V, 20A SiC-Schottky-Diode, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • PFC-Stufen
  • Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Montageanforderungen

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
20 A
Wärmewiderstand
1,5 °C/W

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileWechselrichter

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI05S120E3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1,2kV Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Barriere-Diode für hochfrequente Schaltanwendungen.