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CI08S65E3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI08S65E3 product

CI08S65E3

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky650VTO-252

Die CI08S65E3 ist eine 650V, 8A SiC-Schottky-Diode im TO-252-Gehäuse, ideal für hocheffiziente Stromwandler.

Ideal für

  • SMPS
  • PFC-Stufen
  • Inverter-Freilauf

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden aus Kostengründen ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven für die Betriebstemperatur.

Wichtige Specs

Vr (Max)
650 V
If (Max)
8 A
Vf (Max)
1.8 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

945ba2ffb5cfaa71eac7afc3dd7fc87e_2111091230_Tokmas-CI08S65E3_C967708.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI08S65E3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 650V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode für Hochfrequenz-Leistungselektronik.