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CI10S120M3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI10S120M3 product

CI10S120M3

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VTO-263

Die CI10S120M3 ist eine leistungsstarke 1200V, 10A SiC-Schottky-Diode im TO-263-Gehäuse, ideal für hocheffiziente Leistungselektronik.

Ideal für

  • Solar-Wechselrichter
  • PFC-Stufen
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Wärmeableitung der Leiterplatte.

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
10 A
Gehäuse
TO-263

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

2f3cfd8c7c7051ad4917c34513e95585_2012171205_Tokmas-CI10S120M3_C967724.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI10S120M3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode für Anwendungen mit hoher Effizienz und Schaltfrequenz.