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CI10S65 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI10S65 product

CI10S65

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky650V10ATO-220

Die CI10S65 ist eine 650V, 10A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode im TO-220-2 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungselektronik.

Ideal für

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Schaltnetzteile
  • Motorsteuerungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, bei denen die Kosten für SiC-Technologie den Effizienzgewinn nicht rechtfertigen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Spitzenstrombelastbarkeit

Wichtige Specs

Sperrspannung
650 V
Durchlassstrom
10 A
Betriebstemperatur
-55°C bis +175°C

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungenMotorsteuerungen

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI10S65 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die CI10S65 ist eine SiC-Schottky-Diode mit 650V und 10A, die für hochfrequente und effiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.