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CI10S65M3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI10S65M3 product

CI10S65M3

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky600VLeistungsdiode

Die CI10S65M3 ist eine 600V, 10A SiC-Schottky-Diode im TO-263-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandler.

Ideal für

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • PFC-Stufen
  • Freilaufdioden in Wechselrichtern

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, bei denen extrem niedrige Kosten im Vordergrund stehen und Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei hohen Temperaturen

Wichtige Specs

Sperrspannung
600 V
Durchlassstrom
10 A
Durchlassspannung
1.6 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI10S65M3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode mit einer Nennspannung von 600V und 10A, die für Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde.