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CI20S120C3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI20S120C3 product

CI20S120C3

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VLeistungsdiode

Die CI20S120C3 ist eine 1200V, 20A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode im TO-220-2 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandlung.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • PFC-Stufen
  • Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die kostengünstige Silizium-Gleichrichter erfordern, bei denen Effizienz keine Priorität hat.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Sperrschichttemperaturgrenzen.

Wichtige Specs

Vr (Max)
1200 V
If (Max)
20 A
Vf (Max)
1,6 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

f5f24a3d2454b86c0e42bf214e65aff3_2112031830_Tokmas-CI20S120C3_C2925937.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI20S120C3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V SiC-Schottky-Diode für hocheffiziente Leistungselektronik, die sich durch einen vernachlässigbaren Sperrverzugsstrom auszeichnet.