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CI30S65D3L2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI30S65D3L2 product

CI30S65D3L2

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-Diode650VTO-247Hohe Effizienz

Die CI30S65D3L2 ist eine 650V SiC-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Leistungswandlungen optimiert ist.

Ideal für

  • Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
  • Wechselrichter
  • Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Kostengünstige Anwendungen mit geringer Effizienz, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Montagedrehmomentspezifikationen.

Wichtige Specs

Sperrspannung
650 V
Durchlassstrom
30 A
Sperrschichttemperatur
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrieantriebe

Datenblatt

c3cd6d8927a45711692a8fc0659484f0_2012151235_Tokmas-CI30S65D3L2_C967717.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI30S65D3L2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 650V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Barriere-Diode im TO-247-Gehäuse, die für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.