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CI60N120SM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI60N120SM product

CI60N120SM

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VHochleistung

Der CI60N120SM ist ein 1200V, 60A Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-MOSFET für hocheffiziente Leistungselektronik.

Ideal für

  • Hocheffiziente Stromwandlung
  • Solarenergie
  • Industrielle Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Kompatibilität
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

Vdss
1200 V
Id
60 A
Rds(on)
40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

fd805fe0854347cc66206f33d2c3a86a_2112091430_Tokmas-CI60N120SM_C967735.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI60N120SM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein Hochspannungs-SiC-MOSFET für 1200V und 60A, optimiert für schnelles Schalten.