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CI90N120SM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CI90N120SM product

CI90N120SM

MOSFETs - Single

SiC-MOSFET1200VHohe Leistung

Der CI90N120SM ist ein 1200V, 90A SiC-MOSFET im TO-247-3-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen.

Ideal für

  • Solarwechselrichter
  • Hochspannungs-DC/DC-Wandler
  • Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und Anforderungen an die Wärmeableitung.

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
90 A
RDS(on)
27 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

1bcffb970b469dd3f3669402079a3604_2303011000_Tokmas-CI90N120SM_C5364636.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CI90N120SM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET (SiC) mit einer Durchbruchspannung von 1200V und einem Nennstrom von 90A, der für hocheffizientes Schalten ausgelegt ist.