CID10N65D Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Tokmas | PartGenie

KI-Zusammenfassung

CID10N65D product

Der CID10N65D ist ein 650V GaN-auf-Silizium-Anreicherungs-Leistungstransistor, der für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

AC-DC-Wandler
Totem-Pole-PFC
Hochdichte Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine hohe Robustheit der Gate-Schwellenspannung ohne präzise Steuerung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannungspegel
Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS, max: 650 V
RDS(on), max: 200 mΩ
QG, typ: 2.3 nC

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: MSL3
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CID10N65D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V GaN-auf-Silizium-Leistungstransistor im DFN 8x8-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromversorgungen entwickelt wurde.