CID10N65D5 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Tokmas | PartGenie

KI-Zusammenfassung

CID10N65D5 product

Der CID10N65D5 ist ein 650V GaN-auf-Silizium-Anreicherungstyp-Leistungstransistor im 5x6mm DFN-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen.

Ideal für

AC-DC-Wandler
Totem-Pole-PFC
Schnellladegeräte

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine hohe Gate-Schwellenspannung oder Kompatibilität mit herkömmlichen Silizium-MOSFETs ohne Anpassung der Gate-Treiber erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Treiberspannungspegel und Anforderungen an die Wärmeableitung.

Wichtige Specs

VDS: 650 V
RDS(on): 200 mΩ
ID: 10 A
QG: 2,3 nC

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS, Pb-free
REACH: -
MSL: MSL3
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Leistungswandlung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CID10N65D5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V GaN-auf-Silizium-Leistungstransistor, der für hocheffiziente Leistungswandlung entwickelt wurde.