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CID10N65F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CID10N65F product

CID10N65F

MOSFETs - Single

GaNLeistungstransistor650VTO220F

Der CID10N65F ist ein 650V GaN-auf-Silizium-Anreicherungs-Leistungstransistor im TO220F-3L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Leistungswandlung
  • Totem-Pole-PFC
  • Kompakte Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine hohe Gate-Schwellenspannung erfordern
  • Designs, bei denen der TO220F-Footprint zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiberspannungspegel
  • Wärmewiderstand (RthJC)

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
200 mΩ
ID
10 A
QG
2,3 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

6f4e7f55c45fb43ff4509252ef3d2f57_2405291417_Tokmas-CID10N65F_C22446732.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CID10N65F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V GaN-auf-Silizium-Leistungstransistor, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.