CID12N65D(TOKMAS) Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Tokmas | PartGenie

KI-Zusammenfassung

CID12N65D(TOKMAS) product

Der CID12N65D ist ein leistungsstarker 650V-GaN-Transistor mit integriertem Gate-Treiber, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Hocheffiziente Netzteile
Kompakte Schnellladegeräte
Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

Niederfrequenz- oder Niedrigleistungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

Spannungsbereich des Gate-Treibers
Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS: 650 V
RDS(on): 140 mΩ
Max. Frequenz: 2 MHz

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: 3
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CID12N65D(TOKMAS) laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V-Galliumnitrid-Transistor (GaN), der einen Gate-Treiber in einem kompakten 6x8mm DFN-Gehäuse integriert.