Es handelt sich um einen hocheffizienten Leistungsinduktor (HEPI) von Samsung Electro-Mechanics mit 0,68 µH Induktivität im kompakten 2016 (0806) SMD-Gehäuse.
CIGT201610LMR68MNE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Induktivität
- 0,68 µH
- Max. DC-Widerstand
- 53 mΩ
- Nennstrom (Isat)
- 3,8 A
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- 1 (Unlimited)
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8504.50.8000
Anwendung
UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für CIGT201610LMR68MNE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
