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CIGT252010EH2R2MNE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CIGT252010EH2R2MNE product

CIGT252010EH2R2MNE

Chokes

LeistungsinduktorDünnschicht2520 Gehäuse

Der CIGT252010EH2R2MNE ist ein 2,2 µH Metall-Verbund-Leistungsinduktor im 2520-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromkreise in mobilen Geräten.

Ideal für

  • Mobilgeräte
  • Wearables
  • Stromwandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 2,6 A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung in kompakten Layouts

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
DCR (Typ)
67 mΩ
Nennstrom (Irms)
2,6 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8504.50.8000

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

099459703b1283de9099e40a92d21349_SAMSUNG(三星)&CIGT252010EH2R2MNE.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CIGT252010EH2R2MNE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen monolithischen Metall-Verbund-Dünnschicht-Leistungsinduktor von Samsung Electro-Mechanics, der für zuverlässiges Energiemanagement in kompakten Geräten entwickelt wurde.