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CJAE28SN06 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CJAE28SN06 product

CJAE28SN06

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSGT

Der CJAE28SN06 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im kompakten DFNWB3x3-8L-Gehäuse, optimiert für niedrigen RDS(on) und effizientes Wärmemanagement.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Lastschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 60V VDS oder deutlich höhere Ströme erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermische Anforderungen.

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
28 A
RDS(on)
11,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

2772bc8b7c252576978d8efac7e3073c_2403291732_Jiangsu-Changjing-Electronics-Technology-Co---Ltd--CJAE28SN06_C5253626.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CJAE28SN06 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit SGT-Technologie, ausgelegt für 60V und 28A, in einem DFNWB3x3-8L-Gehäuse.