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CMLW252012S3R3MST KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CMLW252012S3R3MST product

CMLW252012S3R3MST

Chokes

GeschirmtDrahtgewickeltLeistungsinduktorSMD

Der CMLW252012S3R3MST ist ein geschirmter, drahtgewickelter Leistungsinduktor mit 3,3 µH und ±20 % Toleranz, ideal für kompakte Stromversorgungen in der Unterhaltungselektronik und Automobiltechnik.

Ideal für

  • Kompakte DC-DC-Wandler
  • Tragbare Elektronik
  • LED-Treiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 1,45 A
  • Umgebungen mit Temperaturen über +125 °C

Vor der Verwendung prüfen

  • Spitzenströme im Vergleich zum Isat-Wert von 2,02 A
  • Kompatibilität des Footprints auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Induktivität
3,3 µH
Nennstrom
1,45 A
DCR (Typ)
196 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikAutomobiltechnikStromversorgung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CMLW252012S3R3MST laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Induktivität von 3,3 µH, eine Toleranz von ±20 %, einen Nennstrom von 1,45 A (Irms), einen Sättigungsstrom von 2,02 A (Isat) und einen typischen Gleichstromwiderstand (DCR) von 196 mΩ.