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CMS120N080WK KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CMS120N080WK product

CMS120N080WK

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VTO-247-4

Der CMS120N080WK ist ein 1200V Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungswandlungen in industriellen und automobilen Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • EV-Ladeinfrastruktur
  • Solarenergiesysteme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Si-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermisches Design

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID (25°C)
35 A
RDS(on)
77 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungEV-Laden

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CMS120N080WK laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V SiC N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand (77 mΩ typ.) und schnellen Schalteigenschaften im TO-247-4-Gehäuse.