CRSD130N10L2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CRSD130N10L2 product

CRSD130N10L2

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der CRSD130N10L2 ist ein 100V, 65A N-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der SkyMOS2-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand nutzt.

Ideal für

  • Energieumwandlung
  • Batteriemanagement

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse als TO-252 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
65 A
RDS(on)
11,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CRSD130N10L2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Drain-Source-Spannung von 100V, einen kontinuierlichen Drain-Strom von 65A und einen typischen Einschaltwiderstand von 11,0mΩ.