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CTS05S40,L3F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CTS05S40,L3F product

CTS05S40,L3F

Power Management (PMIC)

Schottky-Diode40V0,5ACST2

Die CTS05S40 ist eine 40V, 0,5A Schottky-Barriere-Diode im kompakten CST2 (SOD-882) Gehäuse, optimiert für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Sperrschichttemperatur von 125°C überschreiten oder Umgebungen mit hohem Risiko für thermisches Durchgehen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement und Derating-Richtlinien

Wichtige Specs

Spitzensperrspannung
40 V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom
0,5 A
Gehäuse
CST2 (SOD-882)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070

Anwendung

Hochgeschwindigkeits-Schalten

Datenblatt

0b51fceac8000e0be4acf92e0a1044a4_1912111437_TOSHIBA-CTS05S40-L3F-T_C396063.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CTS05S40,L3F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die CTS05S40 ist eine Silizium-Epitaxial-Schottky-Diode von Toshiba, die speziell für schnelle Schaltvorgänge entwickelt wurde.