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CUS05S30,H3F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CUS05S30,H3F product

CUS05S30,H3F

Diodes - Rectifiers - Single

Schottky-DiodeHochgeschwindigkeitsschaltenOberflächenmontage

Die CUS05S30 ist eine 30V, 0,5A Schottky-Barriere-Diode im kompakten USC-Gehäuse, optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeitsschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochtemperaturumgebungen ohne angemessenes thermisches Design

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Spitzensperrspannung
30 V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom
0,5 A
Durchlassspannung (Max)
0,47 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070

Anwendung

Hochgeschwindigkeitsschalten

Datenblatt

cbf677376df96db9cb4183a602f00c7a_2306140942_TOSHIBA-CUS05S30-H3F_C5609209.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CUS05S30,H3F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die CUS05S30 ist eine Silizium-Epitaxial-Schottky-Barriere-Diode von Toshiba, die für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entwickelt wurde.