CUS05S40.H3F Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Toshiba Semiconductor and Storage | PartGenie

KI-Zusammenfassung

CUS05S40.H3F product

Die CUS05S40 ist eine 40V, 500mA Schottky-Barriere-Diode im kompakten USC-Gehäuse, optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.

Ideal für

Hochgeschwindigkeitsschaltkreise

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die extrem niedrige Sperrströme bei hohen Temperaturen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeauslegung und Verlustleistungsgrenzen

Wichtige Specs

Vr (Max): 40 V
Io (Max): 500 mA
Vf (Typ): 0,56 V

Compliance & Umwelt

RoHS: ROHS3 Compliant
REACH: -
MSL: 1 (Unlimited)
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.10.0070

Anwendung

Hochgeschwindigkeitsschalten

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CUS05S40.H3F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Silizium-Epitaxial-Schottky-Barriere-Diode von Toshiba, die für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entwickelt wurde.