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CUS08F30,H3F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CUS08F30,H3F product

CUS08F30,H3F

Diodes - Rectifiers - Single

Schottky-Diode30V800mAUSC-Gehäuse

Die CUS08F30 ist eine 30V, 800mA Schottky-Barriere-Diode im kompakten USC-Gehäuse, optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeitsschalten
  • Allgemeine Gleichrichtung in kompakten Designs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V oder 800mA
  • Extreme Hochtemperaturumgebungen ohne angemessenes Wärmemanagement

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Designberechnungen
  • Sperrstrom bei Betriebstemperatur

Wichtige Specs

Sperrspannung
30 V
Vorwärtsstrom
800 mA
Vorwärtsspannung (Typ)
0,40 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

HochgeschwindigkeitsschaltenAllgemeine Gleichrichtung

Datenblatt

e5093bde9b032889913c348a54908e08_docget.jsp.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CUS08F30,H3F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

2
PartDetailsMatch
SS14MDD

SS14 is a 40V 1A Schottky option only if the board can change to SMA.

Needs validation

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die CUS08F30 ist eine Silizium-Epitaxial-Schottky-Barriere-Diode von Toshiba, die für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entwickelt wurde.