Wofür wird die CUS10S30 verwendet?

Sie wird hauptsächlich für schnelles Schalten und Gleichrichtung in kompakten elektronischen Schaltungen verwendet, bei denen ein niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung erforderlich ist.

Was sind die wichtigsten Spezifikationen der CUS10S30?

Zu den wichtigsten Spezifikationen gehören eine Spitzensperrspannung von 30V, ein durchschnittlicher gleichgerichteter Strom von 1A und eine typische Durchlassspannung von 0,37V bei 1A.

Was sollten Ingenieure vor der Verwendung der CUS10S30 beachten?

Ingenieure sollten das thermische Design überprüfen, da Schottky-Dioden bei hohen Temperaturen und Spannungen anfälliger für thermisches Durchgehen sind.

Was sollte der Einkauf vor der Beschaffung von CUS10S30,H3F prüfen?

Prüfen Sie Lebenszyklus (Aktiv), Compliance-Daten, Distributionsverfügbarkeit und freigegebene Bezugsquellen. Aktuelles Beschaffungssignal: niedrig; Bereitschaft: easy.

Wie lautet das Pinout von CUS10S30,H3F?

Nutzen Sie das Datenblatt von CUS10S30,H3F für das offizielle Pinout und die Pin-Namen. In PartGenie können Sie Datasheet AI zu Pinout, Versorgung und Schnittstellen von CUS10S30,H3F befragen.

CUS10S30,H3F Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Toshiba Semiconductor and Storage

KI-Zusammenfassung

Die CUS10S30 ist eine 30V, 1A Schottky-Barriere-Diode im kompakten USC-Gehäuse, ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.

Ideal für

Hochgeschwindigkeitsschalten
Kompakte Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

Betrieb bei extrem hohen Temperaturen ohne angemessenes Wärmemanagement

Vor der Verwendung prüfen

Sperrstrom bei Betriebstemperatur

Wichtige Specs

Spitzensperrspannung: 30 V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom: 1 A
Durchlassspannung (1A): 0,37 V
Gehäuse: USC

Compliance & Umwelt

RoHS: ROHS3 Compliant
REACH: -
MSL: 1 (Unlimited)
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.10.0080

Anwendung

HochgeschwindigkeitsschaltenAllgemeine Gleichrichtung

Datenblatt

d40baaea44beeaf81927a1a13763e574_1810181811_TOSHIBA-CUS10S30-H3F_C146335.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CUS10S30,H3F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

Dateien holen

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

Dateien holen

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

Dateien holen

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Part	Details	Match
SS34AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd	SS34A is a higher-rated Schottky option for redesign, not a pin replacement.	Needs validation

SS34BMDD	SS34B may work electrically in a redesign, but it is not a USC package match.	Needs validation
SS54FMDD	SS54F is a stronger Schottky candidate only for non-drop-in redesign use.	Needs validation
SS36MDD	SS36 is a higher-rated Schottky but needs package and pin review.	Needs validation
SS56MDD	SS56 is a much larger 60V 5A Schottky functional candidate.	Needs validation
SS56BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd	SS56B is a larger 60V 5A Schottky candidate requiring review.	Needs validation

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die CUS10S30 ist eine Silizium-Epitaxial-Schottky-Barriere-Diode von Toshiba, die für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entwickelt wurde.

KI-Zusammenfassung

Ideal für

Vermeiden, wenn

Vor der Verwendung prüfen

Wichtige Specs

Compliance & Umwelt

Anwendung

Datenblatt

CAD-Modelle

Bezugsquellen

Alternative Bauteile

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Was ist die CUS10S30?+×

Wofür wird die CUS10S30 verwendet?+×

Was sind die wichtigsten Spezifikationen der CUS10S30?+×

Was sollten Ingenieure vor der Verwendung der CUS10S30 beachten?+×

Was sollte der Einkauf vor der Beschaffung von CUS10S30,H3F prüfen?+×

Wie lautet das Pinout von CUS10S30,H3F?+×