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CY7C1011DV33-10ZSXI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CY7C1011DV33-10ZSXI product

CY7C1011DV33-10ZSXI

Memory

SRAMSpeicher2MbitAsynchron

Der CY7C1011DV33-10ZSXI ist ein 2-Mbit-Hochgeschwindigkeits-asynchroner SRAM, der sich ideal für Anwendungen eignet, die schnellen und zuverlässigen flüchtigen Speicher benötigen.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung
  • Speicher in eingebetteten Systemen

Vermeiden, wenn

  • Nichtflüchtiger Speicher wird benötigt

Vor der Verwendung prüfen

  • Timing-Beschränkungen
  • Stabilität der Stromversorgung

Wichtige Specs

Kapazität
2 Mbit
Zugriffszeit
10 ns
Spannung
3,3 V
Gehäuse
44-TSOP II

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

IndustrieAllgemein

Datenblatt

Infineon-CY7C1011DV33_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CY7C1011DV33-10ZSXI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 2-Mbit (256K x 8) Hochleistungs-CMOS-Statik-RAM (SRAM), der für schnellen Datenzugriff entwickelt wurde.