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CY7C1041G30-10ZSXI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CY7C1041G30-10ZSXI product

CY7C1041G30-10ZSXI

Memory

SRAM4-MbitECCInfineon

Der CY7C1041G30-10ZSXI ist ein 4-Mbit High-Speed asynchroner SRAM mit integriertem ECC für zuverlässige Datenspeicherung in industriellen Anwendungen.

Ideal für

  • Industrielle Speicherpuffer
  • Schnelle Datenprotokollierung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die nichtflüchtigen Speicher erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Spannungskompatibilität
  • Timing-Vorgaben

Wichtige Specs

Speicherdichte
4-Mbit
Zugriffszeit
10 ns
Spannung
2,2V - 3,6V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

IndustrieAllgemein

Datenblatt

Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CY7C1041G30-10ZSXI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 4-Mbit (256K x 16) schnellen statischen RAM (SRAM) mit integrierter Fehlerkorrektur (ECC).