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CY7C1051DV33-10ZSXIT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CY7C1051DV33-10ZSXIT product

CY7C1051DV33-10ZSXIT

Memory

SRAMSpeicher8-Mbit3,3V

Der CY7C1051DV33-10ZSXIT ist ein leistungsstarker 8-Mbit (512K x 16) asynchroner SRAM, der für Anwendungen mit schnellen Zugriffszeiten und geringem Stromverbrauch optimiert ist.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung
  • Eingebettete Systeme
  • Kommunikationsgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die nichtflüchtigen Speicher erfordern
  • Systeme mit strengen Stromvorgaben unter 20mA Standby

Vor der Verwendung prüfen

  • Timing-Vorgaben
  • Spannungsstabilität

Wichtige Specs

Speicherdichte
8-Mbit
Zugriffszeit
10 ns
Spannung
3,3 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

IndustrieAllgemein

Datenblatt

Infineon-CY7C1051DV33_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CY7C1051DV33-10ZSXIT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 8-Mbit CMOS-SRAM mit einer Organisation von 512K Wörtern zu 16 Bit, der mit 3,3V betrieben wird.