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CY7C199D-10VXI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

CY7C199D-10VXI product

CY7C199D-10VXI

Memory

SRAMSpeicher5V10ns

Der CY7C199D-10VXI ist ein 256-Kbit (32K x 8) High-Speed-CMOS-SRAM, der für Anwendungen mit 10ns Zugriffszeit optimiert ist.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeits-Speicherpuffer
  • Schnittstellen zu älteren Prozessoren

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungssysteme (3,3V oder niedriger)

Vor der Verwendung prüfen

  • TTL-Kompatibilität des Host-Prozessors

Wichtige Specs

Speichergröße
256 Kbit
Zugriffszeit
10 ns
Versorgungsspannung
5 V
Gehäuse
28-pin SOJ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

IndustrieAllgemeine Rechentechnik

Datenblatt

Infineon-CY7C199D_256-Kbit_(32_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für CY7C199D-10VXI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 256-Kbit (32K x 8) CMOS-Statik-RAM (SRAM), der mit 32.768 Wörtern zu je 8 Bit organisiert ist.