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DDTC123EE-7-F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DDTC123EE-7-F product

DDTC123EE-7-F

Pre-Biased

NPNVorwiderstandSOT523

Der DDTC123EE-7-F ist ein kompakter NPN-Transistor mit integrierten 2,2kΩ-Widerständen, ideal für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Kompakte Schaltkreise
  • Inverterschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 150mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungsschwellen

Wichtige Specs

Widerstandswert
2,2 kΩ
Max. Ausgangsstrom
100 mA
Gehäuse
SOT523

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Allgemeines Schalten

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DDTC123EE-7-F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Transistor mit Vorwiderständen (R1=R2=2,2kΩ) im SOT523-Gehäuse.