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DDTD113EC-7-F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DDTD113EC-7-F product

DDTD113EC-7-F

Pre-Biased

NPNPre-BiasedSOT23500mA

Der DDTD113EC-7-F ist ein NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (1kΩ/1kΩ) im SOT23-Gehäuse, ausgelegt für 500mA Kollektorstrom.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Platzsparende Leiterplattendesigns

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem hohe Schaltgeschwindigkeiten erfordern
  • Schaltungen, die den Kollektorstrom von 500mA überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel
  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

Polarität
NPN
Kollektorstrom
500 mA
Widerstand R1
1 kΩ
Widerstand R2
1 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Allgemeines SchaltenUnterhaltungselektronik

Datenblatt

DSA-457330.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DDTD113EC-7-F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen von Diodes Incorporated, der zur Reduzierung der Bauteilanzahl in Schaltungen dient.