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DF2B6M4SL,L3F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DF2B6M4SL,L3F product

DF2B6M4SL,L3F

Diodes - Zener - Single

ESD-SchutzTVS-DiodeUltrakompakt

Die DF2B6M4SL ist eine leistungsstarke, ultrakompakte TVS-Diode von Toshiba, die für den ESD-Schutz in Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen mobiler Geräte optimiert ist.

Ideal für

  • ESD-Schutz in Mobilgeräten
  • Hochgeschwindigkeitssignalleitungen

Vermeiden, wenn

  • Spannungsregelung
  • Hochleistungsschutz

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Signalleitungsspannung

Wichtige Specs

Betriebsspannung
5,5 V
Kapazität
0,2 pF
ESD-Festigkeit
±20 kV

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Anwendung

Mobile Geräte

Datenblatt

50d1e2c3b8d0b2045a10826236b93199_2201300200_TOSHIBA-DF2B6M4SL-L3F_C1973332.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DF2B6M4SL,L3F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Silizium-Epitaxial-Planar-TVS-Diode, die zum Schutz empfindlicher Halbleiterbauelemente vor elektrostatischer Entladung (ESD) und Rauschen entwickelt wurde.