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DFE201210U-1R0M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE201210U-1R0M=P2 product

DFE201210U-1R0M=P2

Chokes

GeschirmtLeistungsinduktorSMD

Der DFE201210U-1R0M=P2 ist ein kompakter, geschirmter Leistungsinduktor von Murata für hochdichte SMD-Anwendungen.

Ideal für

  • Unterhaltungselektronik
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedrigem Gleichstromwiderstand oder hoher Isolationsspannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Induktivität
1 µH
Gleichstromwiderstand
95 mΩ
Nennstrom
3,1 A
Gehäuse
0805 (2012 metrisch)

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

EnergieUnterhaltungselektronik

Datenblatt

AWCIS00002-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE201210U-1R0M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen geschirmten Leistungsinduktor mit 1,0 µH Nenninduktivität im 0805 (2012 metrisch) SMD-Gehäuse.