Er bietet eine Induktivität von 0,33 µH (±20%), einen maximalen Gleichstromwiderstand von 31 mΩ und einen Nennstrom von 5,2 A (basierend auf der Induktivitätsänderung).
DFE201210U-R33M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Induktivität
- 0,33 µH
- Nennstrom
- 5,2 A
- Gleichstromwiderstand
- 31 mΩ
- Gehäuse
- 2012 (0805)
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Y
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8504508000.0
Anwendung
StromversorgungUnterhaltungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für DFE201210U-R33M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
