Er bietet 1,5 µH Induktivität (±20%), einen maximalen Gleichstromwiderstand von 91 mΩ und Nennströme von 2,9 A (basierend auf Induktivitätsänderung) bzw. 2,1 A (basierend auf Temperaturanstieg).
DFE201610E-1R5M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Induktivität
- 1,5 µH
- Gleichstromwiderstand
- 91 mΩ
- Nennstrom (Temp.anstieg)
- 2,1 A
- Gehäuse
- 2016 (0806)
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Y
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8504508000.0
Anwendung
StromversorgungUnterhaltungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für DFE201610E-1R5M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
