Es handelt sich um einen geschirmten 4,7 µH Leistungsinduktor im 0806 (2016 metrisch) Gehäuse, der auf Metalllegierungskern-Technologie basiert.
DFE201610E-4R7M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Induktivität
- 4,7 µH
- Isat
- 1,6 A
- Itemp
- 1,1 A
- DCR (Max)
- 0,288 Ω
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Y
- REACH
- Y
- MSL
- -
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8504508000.0
Anwendung
StromversorgungUnterhaltungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für DFE201610E-4R7M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
