Er bietet eine Induktivität von 1,0 µH, eine Toleranz von ±20 %, einen Sättigungsstrom von 4,0 A und einen maximalen Gleichstromwiderstand von 48 mΩ.
DFE201612E-1R0M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Induktivität
- 1,0 µH
- Sättigungsstrom
- 4,0 A
- Gleichstromwiderstand
- 48 mΩ
- Gehäuse
- 2016 (0806)
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Y
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8504508000.0
Anwendung
EnergieVerbraucher
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für DFE201612E-1R0M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
