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DFE201612E-1R0M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE201612E-1R0M=P2 product

DFE201612E-1R0M=P2

Chokes

AbgeschirmtLeistungsinduktorSMD

Der DFE201612E-1R0M=P2 ist ein kompakter, abgeschirmter Leistungsinduktor von Murata, optimiert für hochdichte Oberflächenmontage-Anwendungen.

Ideal für

  • Energieverwaltung
  • Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extremer Vibrationsbelastung ohne geeignete Befestigung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Leiterplattenlayout

Wichtige Specs

Induktivität
1,0 µH
Sättigungsstrom
4,0 A
Gleichstromwiderstand
48 mΩ
Gehäuse
2016 (0806)

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

EnergieVerbraucher

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE201612E-1R0M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Induktivität von 1,0 µH, eine Toleranz von ±20 %, einen Sättigungsstrom von 4,0 A und einen maximalen Gleichstromwiderstand von 48 mΩ.