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DFE201612E-2R2M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE201612E-2R2M=P2 product

DFE201612E-2R2M=P2

Chokes

GeschirmtLeistungsinduktivitätSMD2,2 µH

Die DFE201612E-2R2M=P2 ist eine kompakte, geschirmte Leistungsinduktivität von Murata mit 2,2 µH Induktivität und 2,4 A Sättigungsstrom im 2016-metrischen Gehäuse.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagement-Module
  • Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 2,4 A Spitzenstrom
  • Umgebungen mit extremer mechanischer Vibration

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Reflow-Lötprofil

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Sättigungsstrom
2,4 A
Gleichstromwiderstand
116 mΩ
Gehäuse
2016 Metrisch

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

Murata-company-16.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE201612E-2R2M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine geschirmte Leistungsinduktivität für hochdichte SMD-Anwendungen mit 2,2 µH Induktivität.