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DFE252010F-R82M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE252010F-R82M=P2 product

DFE252010F-R82M=P2

Chokes

GeschirmtLeistungsinduktorSMD

Der DFE252010F-R82M=P2 ist ein geschirmter Leistungsinduktor von Murata mit 0,82 µH Induktivität und kompakter 2520-Bauform.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagement-Module

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen hohen Isolationswiderstand zwischen Leiterbahnen und Induktorkörper erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • PCB-Layout-Richtlinien bezüglich Durchkontaktierungen und Kupferflächen unter der Komponente

Wichtige Specs

Induktivität
0,82 µH
Gleichstromwiderstand
40 mΩ (Max)
Nennstrom
4,5 A (Induktivitätsänderung)
Gehäuse
2,5 x 2,0 x 1,0 mm

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

Murata-company-16.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE252010F-R82M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein oberflächenmontierbarer, geschirmter Leistungsinduktor mit 0,82 µH Induktivität für kompakte Elektronikdesigns.