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DFE252012F-1R0M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE252012F-1R0M=P2 product

DFE252012F-1R0M=P2

Chokes

AbgeschirmtMetalllegierungSMDLeistungsinduktor

Der DFE252012F-1R0M=P2 ist ein 1,0µH abgeschirmter Leistungsinduktor von Murata mit 4,7A Sättigungsstrom und 40mΩ Gleichstromwiderstand im kompakten 2520 SMD-Gehäuse.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Tragbare Stromversorgungen
  • Hochdichte Leiterplattendesigns

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >4,7A Spitzenstrom oder extrem niedrigen DCR-Anforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung in Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

Induktivität
1,0 µH
Sättigungsstrom (Isat)
4,7 A
Gleichstromwiderstand (Max)
0,040 Ω
Gehäuse
2520 (1008 Zoll)

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
Y
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

Murata-company-16.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE252012F-1R0M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen magnetisch abgeschirmten Leistungsinduktor aus Metalllegierung, der für hocheffiziente Stromwandlung in kompakten elektronischen Geräten entwickelt wurde.