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DFE252012F-R33M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE252012F-R33M=P2 product

DFE252012F-R33M=P2

Chokes

LeistungsinduktorAbgeschirmtSMD

Der DFE252012F-R33M=P2 ist ein abgeschirmter 0,33µH Metalllegierungs-Leistungsinduktor im 2520-Gehäuse, ideal für platzkritische Hochstromanwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Tragbare Elektronik
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die ein extrem flaches Profil (<1,2mm) oder nicht abgeschirmte Induktoren erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung in Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen.

Wichtige Specs

Induktivität
0,33 µH
Max. Gleichstromwiderstand
19 mΩ
Sättigungsstrom
8,5 A
Gehäuse
2520

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
Y
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

Energiemanagement

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE252012F-R33M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen kompakten, magnetisch abgeschirmten Leistungsinduktor von Murata im 2520-Format mit niedrigem Gleichstromwiderstand.