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DFE252012P-1R0M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE252012P-1R0M=P2 product

DFE252012P-1R0M=P2

Chokes

AbgeschirmtLeistungsinduktivitätSMDMurata

Der DFE252012P-1R0M=P2 ist eine abgeschirmte 1,0 µH Leistungsinduktivität von Murata mit einem Sättigungsstrom von 4,3 A im kompakten 2520-Gehäuse.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Mobilgeräte
  • Automotive-Stromversorgung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Induktivitätswerte deutlich abweichend von 1,0 µH oder Ströme über 4,3 A erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement in Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen.

Wichtige Specs

Induktivität
1,0 µH
Sättigungsstrom
4,3 A
Gleichstromwiderstand
42 mΩ
Gehäuse
2520 (1008)

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
Y
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

EnergieverwaltungAutomobilindustrie

Datenblatt

ECIID005-10.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE252012P-1R0M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare, abgeschirmte Leistungsinduktivität mit 1,0 µH, die für hocheffiziente Stromwandler entwickelt wurde.