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DFE322512F-1R0M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE322512F-1R0M=P2 product

DFE322512F-1R0M=P2

Chokes

GeschirmtLeistungsinduktivitätSMD

Der DFE322512F-1R0M=P2 ist eine geschirmte Leistungsinduktivität von Murata mit 1,0 µH Induktivität und 4,8 A Nennstrom im kompakten 1210 SMD-Gehäuse.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsfilterung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extremer Vibrationsbelastung ohne korrekte Montage
  • Umgebungen mit hoher korrosiver Gasbelastung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Stromgrenzen basierend auf dem Temperaturanstieg

Wichtige Specs

Induktivität
1,0 µH
Nennstrom
4,8 A
Gleichstromwiderstand
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

Murata-company-16.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE322512F-1R0M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet 1,0 µH Induktivität, ±20% Toleranz, 4,8 A Nennstrom und einen maximalen Gleichstromwiderstand von 32 mΩ.