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DFE322512F-4R7M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DFE322512F-4R7M=P2 product

DFE322512F-4R7M=P2

Chokes

LeistungsinduktivitätAbgeschirmtSMD

Der DFE322512F-4R7M=P2 ist eine abgeschirmte Leistungsinduktivität von Murata, die für zuverlässige Anwendungen in der Unterhaltungselektronik entwickelt wurde.

Ideal für

  • Stromversorgungsschaltungen
  • Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Umgebungen mit hoher korrosiver Gasbelastung
  • Anwendungen über 125 °C

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Leiterplattenlayout

Wichtige Specs

Induktivität
4,7 µH
Nennstrom
2,3 A (Sättigung)
Gleichstromwiderstand
157 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

Murata-company-16.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DFE322512F-4R7M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Induktivität von 4,7 µH, eine Toleranz von ±20 %, einen Sättigungsstrom von 2,3 A und einen temperaturabhängigen Nennstrom von 1,6 A im 3225-Gehäuse.