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DMC1229UFDB-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMC1229UFDB-7 product

DMC1229UFDB-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärpaarDiodes IncorporatedPower Management

Der DMC1229UFDB-7 ist ein komplementärer (N+P) Enhancement-Mode-MOSFET im kompakten U-DFN2020-6-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Power-Management optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbares Power-Management
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die die thermischen Grenzen des DFN2020-Gehäuses überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

Vds (N/P)
12V / -12V
Id (N/P)
5,6A / -3,8A
Rds(on) (N/P)
29mΩ / 61mΩ
Gehäuse
U-DFN2020-6

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Power ManagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

DMC1229UFDB-7-Diodes-Inc.-datasheet-62305075.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMC1229UFDB-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen komplementären MOSFET-Paar-Baustein (N-Kanal und P-Kanal) von Diodes Incorporated, der in einem flachen U-DFN2020-6-Gehäuse untergebracht ist.