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DMG1012T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG1012T product

DMG1012T

FETs

N-KanalMOSFETSOT-52320VESD-geschützt

Der DMG1012T ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im SOT-523-Gehäuse, der für das Schalten kleiner Lasten und die Pegelanpassung in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Logikpegelverschiebung
  • Lastschaltung mit geringer Leistung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungs- oder Hochstromanwendungen über 20V/0,8A

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Schwellenspannung
  • Wärmeableitung bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
0,8 A
RDS(on) @ 4,5V
< 250 mΩ
Gehäuse
SOT-523

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergiemanagement

Datenblatt

8270727f3cc67064067e14d5f8ca711a_TECH PUBLIC(台舟)&DMG1012T.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG1012T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

1
DMG2302UK-7Diodes Incorporated

DMG2302UK-7 is electrically stronger but not package-compatible with DMG1012T.

Needs validation

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der DMG1012T ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 20V und einem Dauerstrom von 0,8A, untergebracht in einem kompakten SOT-523-Gehäuse.