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DMG1013T-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG1013T-HXY product

DMG1013T-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-52320V

Der DMG1013T ist ein kompakter P-Kanal-MOSFET für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 0,66A
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-0,66 A
RDS(ON)
< 560 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

f77489b215305bd8d9c4fc0f75fa8796_2403261740_HXY-MOSFET-DMG1013T-HXY_C22367055.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG1013T-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Niederspannungsanwendungen optimiert ist.