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DMG1013UW-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG1013UW-7 product

DMG1013UW-7

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-323AEC-Q101

Der DMG1013UW-7 ist ein P-Kanal-MOSFET mit hoher Zuverlässigkeit im SOT-323-Gehäuse, ideal für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Kleinsignalschaltung
  • Automobilanwendungen (AEC-Q101 qualifiziert)

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die 0,31 W Verlustleistung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannungsbereich
  • Layout des thermischen Pads

Wichtige Specs

Vds
-20 V
Id
-0,82 A
Rds(on)
0,75 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

AutomobilAllgemeines Schalten

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG1013UW-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Diodes Incorporated, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten in einem kompakten SOT-323-Gehäuse ausgelegt ist.