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DMG1016UDW-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG1016UDW-7 product

DMG1016UDW-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärpaarSOT363

Der DMG1016UDW-7 ist ein komplementärer Paar-MOSFET (N-Kanal und P-Kanal) im SOT363-Gehäuse, optimiert für das Energiemanagement bei niedrigen Spannungen.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • Signalschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
±20 V
Dauer-Drainstrom
1,07 A / -0,85 A
Gehäuse
SOT363

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergiemanagementAllgemeines Schalten

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMG1016UDW-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG1016UDW-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen Anreicherungs-MOSFET, der einen N-Kanal- und einen P-Kanal-Transistor in einem einzigen SOT363-Gehäuse für die Oberflächenmontage vereint.